為什麼難去除
有機物極性弱且微小離子化，樹脂與 CEDI 難以捕捉。必須先把它們「轉成離子」，後段才有辦法處理。
首頁 / 半導體超純水
12 CMH UPW System
半導體級
超純水系統
依水源水質與製程需求客製配置。從前處理到終端 20 nm 超濾，全程半導體級 PVDF / PFA 管路，無縫熱融銲接杜絕二次污染。
18.2 MΩ·cmResistivity電阻率 @ 25°C
< 1 ppbTOC總有機碳
< 1 pptHeavy Metals重金屬離子
20 nmParticle終端超濾等級
系統流程
漸進式去除水中雜質
依水源水質與製程需求客製配置——逐段提昇水質。
01
前處理Pre-treatment
去除懸浮物、餘氯、有機物與硬度，保護後段薄膜。02
RO 逆滲透2-Pass RO
二段式逆滲透去除絕大部分溶解鹽類與有機物。03
CEDI連續電除鹽
連續產水，無須酸鹼再生。04
UV 光解185 nm TOC
185 nm 光子產生羥基自由基，將有機物氧化分解。05
MBP 精混床Mixed-Bed
半導體級精混床樹脂吸附殘餘離子碎片。06
Final UF終端超濾
使用點前最後一道 20 nm 等級過濾。產水規格
- 電阻率 Resistivity≥ 18.2 MΩ·cm @ 25°C
- 總有機碳 TOC< 1 ppb
- 重金屬離子 Heavy Metal Ions< 1 ppt
- 顆粒 Particle20 nm 等級過濾
- 產水量 Capacity12 m³/h (12 CMH)
- 管路 PipingPVDF / PFA 半導體級
- 供水 Supply24 h 連續不間斷
產水量與規格可依製程需求調整
管路與材質
水質能否達標，
關鍵在管路材質與設計
超純水本身是極強的溶劑。系統前段做得再好，只要管材溶出或銲道有死角，水質在到達使用點之前就會劣化。也順全系統採用半導體等級的高純度 PVDF 與 PFA 管路，配備無縫熱融銲接技術，從根本避免二次污染。
- 半導體級 PVDF / PFA低溶出、耐化性佳，適用於超微量金屬與 TOC 規格。
- 無縫熱融銲接管內無接縫、無死角，杜絕二次污染與微生物滯留。
- 生技案場採 SUS316L / BPE自動軌道銲接（Orbital Welding）確保每一道銲接的完整性。
技術原理 01
超純水系統中的 TOC 去除挑戰
有機化合物是超純水系統中最難剔除的污染物之一——它們極性弱、分子微小且不易離子化，傳統離子交換 (IX) 與連續電除鹽 (CEDI) 對其去除能力有限。
先進製程的標準
先進半導體製程要求產水 TOC 低於 1 ppb，且電阻率須維持在 18.2 MΩ·cm 以上——兩者必須同時成立。
光解與氧化機制
以特定波長 UV 照射切斷水分子化學鍵，產生強氧化性的羥基自由基 (OH•)，把有機物氧化分解為離子態，再由後段樹脂順利去除。
185 nm 水分子光解
185 nm 的高能量光子直接被水分子吸收，激發水分子裂解，產生高活性且壽命極短的羥基自由基：
H₂O + hν (185 nm) → H• + OH•
水吸收的 185 nm 光量，是決定 TOC 降解效率最關鍵的指標。
有機物連鎖氧化反應
OH• 自由基快速攻擊有機物分子的化學鍵，將其逐步拆解為小型帶電離子、二氧化碳與水：
Organics + OH• → CO₂ + H₂O + Ions
產生的離子物種，後續可由混床離子交換 (MB) 或 CEDI 完全吸附。
CO₂ 脫除處理
部分有機物在 UV 作用下直接被完全氧化為二氧化碳。CO₂ 會導致水體微幅酸化。
離子碎片吸附
較具耐受性的有機分子會被斷鍵為帶電離子碎片，暫時造成電阻率下降。經由下游高純度混床樹脂 (MB) 或 CEDI 即可徹底清除。
達理論純水極限
經 UV 與離子交換聯合處理後，水質可達理論純水極限 18.2 MΩ·cm (Type 1 UPW)，無任何游離陽陰離子干擾。
技術原理 02
為什麼必須去除水中的氣體
大氣由約 79% 氮氣與 21% 氧氣組成，水體只要接觸空氣，氣體便自然溶解。常溫常壓下，一杯水約含 8.5 ppm 溶解氧。
半導體製造
殘留氧氣會氧化微電路
晶圓需經 40–50 次高純水沖洗，殘留的氧氣會氧化微電路金屬並造成瑕疵。
發電工業
溶氧腐蝕渦輪葉片
蒸氣高壓推動渦輪葉片時，水中溶解氧會引起金屬氧化腐蝕，損壞葉片並影響發電效率。
電導率與離子控制
CO₂ 會形成碳酸
水流經地表會溶解碳酸鈣、碳酸鎂等礦物質，生成鈣鎂離子與碳酸；離子解離會提高水的電導率。
技術原理 03
如何去除水中
奈米等級的顆粒
在先進製程中，一顆 20 nm 的顆粒就足以造成缺陷。一般過濾器無法處理這個尺度，必須在使用點之前配置終端超濾 (Final UF)。
也順採用 UF 中空纖維模組作為終端過濾，同時攔截奈米顆粒與可能剝落的樹脂碎片，是整套系統的最後一道防線。
- 一般製程要求≥ 0.050 μm / 50 nm < 2 顆/mL
- 特殊製程要求0.020 μm / 20 nm
監測與驗收
水質用數據說話
系統配置線上 TOC、SiO₂、Particle、DO 與電阻率量測，連續記錄產水品質。異常時即時預警，讓問題在影響產線之前就被攔下。
交付前，也順會協同客戶完成各項超微量重金屬、硼元素與顆粒檢測，並提供完整的建置與驗證文件。
TOCSiO₂ParticleDOResistivityDQ / IQ / OQ
實績與工程能力
已經在最嚴苛的產線運轉
創立於台北
40+ 年純水系統規劃、安裝與維運經驗。
半導體設備商交付實績
為全球前三大半導體設備商交付 UPW 系統並通過驗收。
半導體級管材工程
PVDF / PFA 半導體級管材，無縫熱融銲接杜絕二次污染。